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Hwang, G.; 小貫 薫
Journal of Membrane Science, 194(2), p.207 - 215, 2001/12
被引用回数:59 パーセンタイル:87.3(Engineering, Chemical)熱化学法ISプロセスの水素発生工程の高効率化を目的として、膜反応器によるヨウ化水素接触分解反応に関する理論的検討を行った。解析にあたり、H及びHIの透過係数は、試作したシリカ膜における実測値を用いた。実測困難なIの透過係数については、H/I選択性が分解率に及ぼす影響を調べて評価した。検討の結果、90%以上のヨウ化水素分解率の得られる条件が存在することを明らかにした。さらに、反応部体積と膜面積との比,無次元長さなどの反応器パラメータと分解率との関係を明らかにし、その結果をもとに膜反応器の設計指針を論じた。
Hwang, G.; 小貫 薫; 清水 三郎
AIChE Journal, 46(1), p.92 - 98, 2000/01
被引用回数:38 パーセンタイル:77.7(Engineering, Chemical)熱化学法ISプロセスのヨウ化水素分離反応への適用を目的として、CVD法によりシリカ膜を作製し、H-HO-HI混合ガスからの水素分離特性を評価した。平均孔径10mmの細孔を有する多孔質アルミナ管に、TEOSを原料とするCVD法によりシリカ被覆処理を施して、有効膜長20mm(S膜)及び100mm(L膜)の分離膜を試作した。試作に際して、シリカ蒸着量の制御により細孔閉塞度を制御して、低いHI透過速度及び高いH透過速度を発現させることを試みた。He/N選択性を指標としてシリカ蒸着量を制御した結果、600においてH/N選択性が53,9.2,4.1,135,6.6を示す膜(S1,S2,S3,L1,L2)を得た。300~600におけるH-HO-HI混合ガス分離実験の結果、水素透過速度に対する共存ガスの影響は小さくないこと、また、H/HO及びH/HI分離係数がそれぞれ3及び150以上であることを明らかにした。特に、S3膜は、10mol/Pa・m・sオーダーの水素透過速度を有し、かつ、450において高いH/HI分離係数(650)を示した。
Hwang, G.*; 小貫 薫; 清水 三郎; 大矢 晴彦*
J. Membr. Sci., 162(1-2), p.83 - 90, 1999/00
被引用回数:65 パーセンタイル:90.09(Engineering, Chemical)熱化学ISプロセスにおけるHI分解への適用のため、セラミックスを基膜とする水素分離膜を作製した。膜は、100nm(M1)と10nm(M2)の細孔径を有するアルミナ多孔質チューブを基膜として用い、TEOSを反応原料とする化学蒸着法により作製した。He,N,Hの純ガス透過実験は、300~600Cの範囲で行った。HeとNガスは、細孔が析出するシリカによって閉塞されたため、活性化拡散機構により流れた。作製した膜の600Cにおける水素ガス透過速度は、約610mol/Pa・m・sであった。H/Nの選択性はM1とM2膜でそれぞれ5.2と160を示した。H-HO-HI混合ガス分離実験を300~600C範囲で行った。水素の透過速度は水素単独に用いた場合とほぼ同等であり、HI透過速度は110mol/Pa・m・s以下であった。450CにおけるH-HO-HI(モル比0.23:0.65:0.12)混合ガスでの膜の水素透過速度は、一日後でも変化しなかった。
Hwang, G.*; 小貫 薫; 清水 三郎
JAERI-Research 98-002, 8 Pages, 1998/01
ISプロセスの水素発生工程におけるヨウ化水素分解の高効率化のため、水素分離膜の製作技術の研究を行った。細孔径100nmと10nmのーアルミナチューブを基膜として用い、TEOSを原料とする化学蒸着法(CVD)によりシリカを析出させる方法で水素分離膜を製膜した。製作した水素分離膜では、シリカにより細孔が緻密に閉塞され、ガスは活性化拡散機構により透過した。600Cにおける窒素に対する水素の選択性は、細孔径が100nmの基膜の場合5.2,細孔径が10nmの基膜の場合160を示した。